Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTFS6H860NLTAG

MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NVTFS6H860N

NVTFS6H860NLTAG Hakkında

NVTFS6H860NLTAG, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 30A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN paket içerisinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (20mOhm @ 10V, 5A) sayesinde enerji verimliliğini artırır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 12nC gate charge ve 610pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok