Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS6H850N
NVTFS6H850NTAG Hakkında
NVTFS6H850NTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 68A (Tc) sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN paket içinde sunulan bu bileşen, 9.5mOhm on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında kararlı çalışır. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate gerilimi ve 19nC gate yükü özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 68A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok