Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS5824NLTAG-ON
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS5824NL
NVTFS5824NLTAG-ON Hakkında
NVTFS5824NLTAG-ON, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ile 37A sürekli dren akımı sağlayabilir. 20.5mΩ on-dirençi (Rds On) ve 2.5V threshold gerilimi özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında etkin kontrolü mümkün kılar. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 8-WDFN paketinde (3.3x3.3mm) sağlanan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük kapı yükü (16nC @ 10V) ve hızlı komütasyon karakteristiğiyle verimli güç yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok