Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS5824NLTAG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS5824N
NVTFS5824NLTAG Hakkında
NVTFS5824NLTAG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 37A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 20.5mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Surface mount 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetim devreleri gibi alanlarda tercih edilir. ±20V gate gerilimi toleransı ve 16nC gate charge değeri hızlı komütasyon özellikleri gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok