Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS5124PLTWG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS5124
NVTFS5124PLTWG Hakkında
NVTFS5124PLTWG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drain akımı ile çalışmaktadır. 8-WDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 260mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük gücü gerektiren anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, yükseltici (boost) dönüştürücüler ve pil şarj devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 6nC gate charge ve 250pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 18W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok