Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS5116PLWFTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS5116
NVTFS5116PLWFTWG Hakkında
NVTFS5116PLWFTWG, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 6A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-WDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 52mΩ maksimum On-state resistance (Rds On) değerine sahiptir. 25nC gate charge (Qg) ve 1258pF input capacitance (Ciss) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve ±20V Vgs mutlak değerine kadar kullanılabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok