Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS5116PL
NVTFS5116PLTWG Hakkında
NVTFS5116PLTWG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-WDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 52mΩ'luk RdsOn değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 25nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özellikleri içerir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok