Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTFS4C25NTAG

MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NVTFS4C25N

NVTFS4C25NTAG Hakkında

NVTFS4C25NTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10.1A (Ta) / 22.1A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu komponent, 8-PowerWDFN paket tipinde sunulmaktadır. 17mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygun bir seçenektir. Giriş kapasitansi 500pF (15V) ve gate charge 10.3nC (10V) olarak belirtilmiştir. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.1A (Ta), 22.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 14.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok