Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS4C06NWFTWG
MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS4C06N
NVTFS4C06NWFTWG Hakkında
NVTFS4C06NWFTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, 8-PowerWDFN paketinde sunulmaktadır. 4.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 26nC gate charge ve 1683pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1683 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok