Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTFS4C06NTAG

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NVTFS4C06N

NVTFS4C06NTAG Hakkında

NVTFS4C06NTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.2mΩ (10V, 30A'da) düşük on-direnci sayesinde enerji verimliliğini artırır. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulur. Tersine beslemeli diyot içerir ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarları ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 26nC gate charge ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1683 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok