Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVR5124PLT1G
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVR5124
NVR5124PLT1G Hakkında
NVR5124PLT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj aralığında ve 1.1A sürekli drain akımında çalışmak üzere tasarlanmıştır. SOT-23-3 (SC-59) kompakt yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmektedir. 230mΩ (10V, 3A) maksimum Rds(On) değeri ile verimli çalışan transistör, -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında operasyon sağlar. Düşük gate charge (4.3nC) karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Batarya yönetimi, LED sürücüleri, güç denetimi ve sinyal anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 470mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok