Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVR1P02T1G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVR1P02T1G
NVR1P02T1G Hakkında
NVR1P02T1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drenaj akımı ile karakterize edilir. SOT-23-3 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 180mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 400mW maksimum güç tüketimi özelliği vardır. Düşük gate yükü (2.5nC @ 5V) ve küçük giriş kapasitansı (165pF @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, batarya şarj kontrol sistemleri ve düşük güçlü motor kontrol uygulamalarında kullanılan bu transistör, kompakt tasarımla çok sayıda endüstriyel ve tüketici elektronik ürününe entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok