Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMYS4D1N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1023
Seri / Aile Numarası
NVMYS4D1N06CLT

NVMYS4D1N06CLTWG Hakkında

onsemi NVMYS4D1N06CLTWG, 60V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. 22A (Ta) ve 100A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konuş kaybı sağlar. SOT-1023 LFPAK4 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 79W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 34nC gate charge ve 2200pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1023, 4-LFPAK
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package LFPAK4 (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok