Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMYS3D5N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1023
Seri / Aile Numarası
NVMYS3D5N04CT

NVMYS3D5N04CTWG Hakkında

NVMYS3D5N04CTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 24A sürekli dren akımı (Ta) ile çalışan bu bileşen, LFPAK4 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 3.3mOhm (10V, 50A) RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate şarjı 23nC ve kapasitans değerleri anahtarlama hızının kontrolü için optimize edilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 68W (Tc) güç tüketimi kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta), 102A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1023, 4-LFPAK
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package LFPAK4 (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok