Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMYS3D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-1023
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMYS3D3N06CLT
NVMYS3D3N06CLTWG Hakkında
NVMYS3D3N06CLTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim kapasitesine sahip bu bileşen, 26A (Ta) / 133A (Tc) sürekli dren akımı sağlar. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunarak, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-1023 LFPAK4 paketinde üretilen bu transistör, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ~ 175°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 100W (Tc) maksimum güç dağılımı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. 10V gate sürüş gerilimi ile kolayca kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 133A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-1023, 4-LFPAK |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK4 (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok