Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMYS029N08LHTWG

T8 80V LL LFPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1023
Seri / Aile Numarası
NVMYS029N08LH

NVMYS029N08LHTWG Hakkında

NVMYS029N08LHTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilim ve 7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 29mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-1023 LFPAK4 (5x6) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. 4.5V ile 10V arasında drive voltajında çalıştırılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 431 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1023, 4-LFPAK
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK4 (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok