Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMYS025N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1023
Seri / Aile Numarası
NVMYS025N06

NVMYS025N06CLTWG Hakkında

NVMYS025N06CLTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 8.5A sürekli drain akımı (Ta 25°C'de) kapasitesine sahiptir. Maksimum 27.5mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. 4-LFPAK (SOT-1023) yüzey montaj paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 3.8W (Ta) ile 24W (Tc) güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1023, 4-LFPAK
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK4 (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 13µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok