Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMYS021N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-1023
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMYS021N06CLT
NVMYS021N06CLTWG Hakkında
NVMYS021N06CLTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 21mOhm maksimum on-state direnci (RdsOn) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-1023 (4-LFPAK) yüzey montaj paketi tercih edilebilir boyutlar sunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 28W (Tc) güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 5nC gate charge ve 410pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.8A (Ta), 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-1023, 4-LFPAK |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK4 (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 16µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok