Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMYS008N08LHTWG

T8 80V LL LFPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1023
Seri / Aile Numarası
NVMYS008N08LHT

NVMYS008N08LHTWG Hakkında

NVMYS008N08LHTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 25°C'de 13A (Ta) veya kasa sıcaklığında 59A (Tc) maksimum drain akımı sağlar. RDS(on) değeri 10A, 10V koşullarında 8.8mΩ'dur. SOT-1023 (LFPAK4 5x6mm) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Düşük gate charge (25nC @ 10V) ve düşük on-resistance özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1023, 4-LFPAK
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package LFPAK4 (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok