Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMTS1D6N10MCTXG

PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMTS1D6N10MC

NVMTS1D6N10MCTXG Hakkında

NVMTS1D6N10MCTXG, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. 36A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında anahtarlama ve doğrultma işlevlerinde kullanılır. 1.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount PQFN8X8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürme devreleri, enerji yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ±20V gate voltajına dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Ta), 273A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7630 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package 8-DFNW (8.3x8.4)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 650µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok