Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMTS1D5N08H

MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMTS1D5N08H

NVMTS1D5N08H Hakkında

NVMTS1D5N08H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 38A sürekli drain akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük 1.4mOhm on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında verim kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışarak endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılmaya elverişlidir. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 125nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta), 273A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8220 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 258W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package 8-DFNW (8.3x8.4)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 490µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok