Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMTS001N06CTXG

MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMTS001N06C

NVMTS001N06CTXG Hakkında

NVMTS001N06CTXG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim yeteneğine sahip bu bileşen, 53.7A (Ta) ve 376A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlar. 8-PowerTDFN (8DFNW) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük 910mOhm (10V/50A) on-state direnci ile verimli güç dağılımı sağlar. 113nC gate şarjı hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrol, elektrik güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devreleri için tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8705 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 244W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 910mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-DFNW (8.3x8.4)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok