Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMSD6N303R2G
NVMSD6N303R2G Hakkında
NVMSD6N303R2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 6A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulmaktadır. Entegre Schottky diyot (izole) özelliğine sahip olup, 32mΩ maksimum on-resistance (Rds on) değeri ile düşük kayıplarla çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanmaktadır. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 24 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok