Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMS5P02R2G

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NVMS5P02R2G

NVMS5P02R2G Hakkında

NVMS5P02R2G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj derecelendirilmesi ile 3.95A sürekli drain akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. 33mOhm (4.5V, 5.4A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge 35nC ve input capacitance 1900pF (16V) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.95A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok