Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMJS1D6N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1205
Seri / Aile Numarası
NVMJS1D6N06CLT

NVMJS1D6N06CLTWG Hakkında

onsemi tarafından üretilen NVMJS1D6N06CLTWG, 60V drain-source gerilimi ve 38A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. SOT-1205 8-LFPAK56 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 1.36mOhm düşük on-state direnç (RDS On) ve 91nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek frekanslı anahtarlamagerektirenendüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile farklı kontrol devreleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta), 250A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6660 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1205, 8-LFPAK56
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.36mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok