Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMJS1D4N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-1205
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMJS1D4N06CLT
NVMJS1D4N06CLTWG Hakkında
NVMJS1D4N06CLTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 39A sürekli drain akımı (25°C'de) kapasitesine sahiptir. Maksimum 262A akım (Tc'de) sağlayabilir. 1.3mOhm (10V, 50A) ile düşük RDS(on) değerine ve -55°C ile +175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 8-LFPAK56 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 180W (Tc'de) güç dağıtma kapasitesi ile yüksek enerji uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Ta), 262A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7430 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok