Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFWS3D6N10MCLT1G
PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFWS3D6N10MCL
NVMFWS3D6N10MCLT1G Hakkında
NVMFWS3D6N10MCLT1G, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. 20A (Ta) / 132A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesiyle, 3.6mΩ maksimum RDS(On) değerine sahiptir. PowerTDFN 8-SOFL paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. ±20V gate voltajı aralığında çalışabilen ve -55°C ile 175°C arasında işletilebilen bu transistör, düşük RDS(On) değeri sayesinde ısıl kayıpları minimize eder ve verimli güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 132A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4411 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 48A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok