Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFWS3D0P04M8LT1G

MV8 P INITIAL PROGRAM

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFWS3D0P04M8LT1G

NVMFWS3D0P04M8LT1G Hakkında

NVMFWS3D0P04M8LT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source voltaj ile 28A (Ta) / 183A (Tc) sürekli drenaj akımına sahiptir. 2.7mOhm tipik RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. 8-PowerTDFN paketinde 5 lead konfigürasyonu ile yüksek güç dağılımı kapasitesi (171W @ Tc) sağlar. Gate charge değeri 124nC @ 10V olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta), 183A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5827 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 30A,10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok