Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFWS2D3P04M8LT1G

MV8 P INITIAL PROGRAM

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFWS2D3P04M8LT

NVMFWS2D3P04M8LT1G Hakkında

NVMFWS2D3P04M8LT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 31A sürekli drenaj akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. 2.2mΩ maksimum Rds(On) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. MV8 PowerTDFN 8-SOFL paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 157nC gate charge ve 5985pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Ta), 222A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5985 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 2.7mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok