Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFWS020N06CT1G
MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFWS020N06CT
NVMFWS020N06CT1G Hakkında
NVMFWS020N06CT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 28A sürekli akım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 5DFN paket tipinde Surface Mount konfigürasyonunda sunulmaktadır. 19.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapabilir. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücüleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 31W güç tüketim kapasitesi ile yüksek güç yoğunluğu gerektiren tasarımlara uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 355 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.4W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.6mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok