Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFWS016N06CT1G

MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFWS016N06CT1

NVMFWS016N06CT1G Hakkında

NVMFWS016N06CT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 33A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 15.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. 5DFN paket tipi ile yüzey montajı uygulamalarına uygundur. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 489 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.6mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok