Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFWS014P04M8LT1G

MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFWS014P04M8LT

NVMFWS014P04M8LT1G Hakkında

onsemi tarafından üretilen NVMFWS014P04M8LT1G, 40V drain-source gerilimi ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 12.5A sürekli drain akımı (Ta) ve 52.1A (Tc) kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 13.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (26.5nC) karakteristikleri, anahtarlama devrelerinde ve güç dağıtım sistemlerinde tercih edilmesini sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında dayanıklıdır. Batarya koruma devrelerine, yük anahtarlamaya ve güç tiyatı (power mux) uygulamalarına uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1734 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 420µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok