Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H864NT1G

MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H864NT

NVMFS6H864NT1G Hakkında

NVMFS6H864NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim kapasitesi ve 6.7A (Ta) / 21A (Tc) sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. 5x6mm 5DFN yüzey montajlı paketinde gelmektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama hızı düşük olan uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 10V gate sürücü gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyelerine uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok