Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS6H858NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS6H858NW
NVMFS6H858NWFT1G Hakkında
NVMFS6H858NWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilim, 29A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 20.7mOhm maksimum on-state direnci (Rds on) ile verimli anahtarlama sağlar. 8-PowerTDFN 5 Pin yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç kaynakları ve yük anahtarlama devrelerinde uygulanır. 10V gate sürüş voltajında 8.9nC gate charge ve 510pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta), 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.7mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok