Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H858NLT1G

MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H858N

NVMFS6H858NLT1G Hakkında

NVMFS6H858NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 30A (Tc) drain akımı kapasitesine sahiptir. 5DFN paketinde sunulan bu bileşen, 19.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12nC gate charge ve 623pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 623 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok