Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS6H852NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS6H852N
NVMFS6H852NWFT1G Hakkında
NVMFS6H852NWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim ve 10A sürekli (ambient) / 40A sürekli (case) akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. 14.2mOhm maksimum RDS(on) değeri, düşük konma kaybı gerektiren uygulamalarda verimli çalışma sağlar. 5DFN paket tipinde 8 güç lead ile yüksek ısı dağılımı destekler. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 4V gate threshold gerilimi, hızlı komutasyon ve düşük kapı yükü (13nC) ile kontrol elektroniklerine minimum yük getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok