Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H852NT1G

MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H852NT

NVMFS6H852NT1G Hakkında

NVMFS6H852NT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim ile 10A sürekli akım kapasitesine (Ta) ve 40A kapasitesine (Tc) sahiptir. 14.2mOhm maksimum on-state direnç değeri ile düşük güç kaybında anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5x6mm boyutlarında 5 pinli PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörleri ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 54W güç dağıtım kapasitesiyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.2mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 45µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok