Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H848NLWFT1G

MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H848

NVMFS6H848NLWFT1G Hakkında

NVMFS6H848NLWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilimi ve 59A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8mOhm (10V, 10A koşullarında) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 5DFN (5x6) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 25nC gate charge ve 1420pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok