Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H836NLT1G

MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H836NL

NVMFS6H836NLT1G Hakkında

NVMFS6H836NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajı ve 16A sürekli drenaj akımı (Ta), 77A (Tc) ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 6.2mΩ @ 15A, 10V RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 5-DFN yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge 34nC ve 1950pF input capacitance karakteristiği ile sürücü devre tasarımında kolaylık sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 77A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 95µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok