Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H824NT1G

MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H824NT

NVMFS6H824NT1G Hakkında

NVMFS6H824NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj aralığında çalışan bu bileşen, 25°C'de 19A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5DFN paket formatında sunulan bu transistör, 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +175°C) güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanıma uygundur. 38nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya imkan tanır. Surface mount teknolojisiyle kompakt PCB tasarımlarına entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 103A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2470 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 140µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok