Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS6H818NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS6H818N
NVMFS6H818NWFT1G Hakkında
NVMFS6H818NWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli akım kapasitesiyle (Ta'da) tasarlanmıştır. Maksimum 3.7mΩ On-Resistance değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 5DFN paket tipiyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun Surface Mount bileşendir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalarda, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±20V Gate-Source gerilim toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar. 46nC Gate Charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok