Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS6H818NT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS6H818NT
NVMFS6H818NT1G Hakkında
NVMFS6H818NT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen tek kanallı N-Channel Power MOSFET'tir. 80V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere optimize edilmiştir. 25°C'de 20A sürekli drenaj akımı (Ta) ve Tj sıcaklığında 123A kapasitesine sahiptir. 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 46nC @ 10V, input capacitance ise 3100pF @ 40V'dur. Surface Mount 8-PowerTDFN (5-DFN 5x6) paketinde sunulan bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve switch mode güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok