Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H818NT1G

MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H818NT

NVMFS6H818NT1G Hakkında

NVMFS6H818NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source geriliminde 20A (Ta) veya 123A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 5x6 mm boyutunda 8-PowerTDFN (5 pin) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. MOSFET yapısı nedeniyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir ve güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konverterler ve enerji dönüşüm uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok