Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H818NLWFT1G

MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H818NL

NVMFS6H818NLWFT1G Hakkında

NVMFS6H818NLWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim ve 22A sürekli akım kapasitesi ile yüksek verimlilik sunan bu FET, PowerTDFN 5-pin paketlemesi sayesinde kompakt tasarımlara uyumludur. 3.2mΩ (10V, 20A) düşük on-state direnci ile güç kayıpları azaltır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışarak endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 64nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 135A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3844 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 190µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok