Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H801NWFT3G

TRENCH 8 80V NFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H801N

NVMFS6H801NWFT3G Hakkında

NVMFS6H801NWFT3G, onsemi tarafından üretilen 80V N-Channel MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisiyle tasarlanan bu bileşen, 23A sürekli drenaj akımı (Ta), 157A maksimum drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan bu transistör, güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 64nC gate charge ve düşük input kapasitansi hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 157A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4120 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok