Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H801NWFT1G

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H801N

NVMFS6H801NWFT1G Hakkında

NVMFS6H801NWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj yeteneği ile düşük RDS(on) değeri (2.8mΩ @ 50A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 23A sürekli drain akımı (Ta) ve 157A pulse akımı (Tc) kapasitesi ile güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü, motor kontrol ve güç amfi devrelerinde kullanılır. 5DFN paket tipinde sunulan bileşen, kompakt PCB tasarımları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 157A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4120 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok