Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS6H801NT3G
TRENCH 8 80V NFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS6H801N
NVMFS6H801NT3G Hakkında
NVMFS6H801NT3G, onsemi tarafından üretilen 80V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 23A (Ta) / 157A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 2.8mΩ (50A, 10V) düşük RDS(on) direnci, anahtarlama uygulamalarında verimli enerji yönetimi sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışan cihaz, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) kararlı performans sunmaktadır. Surface mount 8-PowerTDFN (5x6 DFN) paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 64nC gate charge ve 4120pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 157A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4120 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 166W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok