Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS6H801NT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H801NT1G Hakkında
NVMFS6H801NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj (Vdss) ve 23A sürekli drain akımı (Ta) kapasitesine sahiptir. Maksimum gate charge değeri 64nC olup, 2.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 8-PowerTDFN 5-pin SMD paketinde sunulan MOSFET, yüksek entegrasyon gerektiren kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 157A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4120 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 166W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok