Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS6H800NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS6H800N
NVMFS6H800NWFT1G Hakkında
NVMFS6H800NWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahiptir. 2.1mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim direnci sağlar. 5DFN (5x6mm) yüzey montajlı paket içinde sunulur. Yüksek güç uygulamaları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, 3.8W (Ta) ve 200W (Tc) güç disipasyonuna kadir olup, 85nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 203A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5530 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 330µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok