Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6H800NT1G

MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6H800NT

NVMFS6H800NT1G Hakkında

NVMFS6H800NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 28A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 5DFN paket formatında sunulan bileşen, 2.1mOhm maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük ısıl kayıplar sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 200W'a kadar güç dağıtabilir. 85nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta), 203A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5530 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 330µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok